金刚石的成核机理
在研究金刚石的成核机理等基础理论方面是较为完善的一种。尽管合成速度较慢约为1~2um/h，但沉积的金刚石薄膜质量高，与基体结合好。
近发展的等离子体辅助热丝CVD法(EACVD)，福州电镀金刚石磨头，不仅获得远比一般热丝CVD法更高的沉积速度(10—20um/h)，而且金刚石膜的质量得到显著提高。
先将真空室抽成真空，再将热丝加热到1800℃~2400℃的高温，通往含碳气源和H2，气体通过热丝时被分解成原子H，CH3，C2H2等基团，这些活性基团在800℃~1100℃的基体上反应形成金刚石晶核，再生长成金刚石膜。其中丝的材质、温度、丝与基体间的距离、气体种类比例、基体温度等对金刚石形核和生长都影响。
金刚石胎体反复补砂成就钻头工作层
金刚石的胎体是在电镀槽里被一层一层镀覆在钻头体上，电镀覆盖电解金属的同时，撒布金刚石颗，金刚石就被包裹在电镀金属层里。长时间的反复补砂和镀覆就形成了钻头的工作层。
不能假定砂轮表面具有理想的平整。在开始修整时，找出砂轮的高点位置，进行修整。如果可能的话，电镀金刚石磨头形状，每次砂轮的修除量，在砂轮的半径上不能超过0.001英寸。过大的修除量能够引起金刚石修整工具头的过早磨耗和经常破碎。
电阻率及耐腐蚀性
表面电阻率是称量膜层耐蚀性的重要指标。类金刚石膜表面电阻高，电镀金刚石磨头供货商，在腐蚀介质中表面出极高的化学惰性，电镀金刚石磨头定制，从而保护基底金属免遭外界腐蚀介质的溶蚀。一般含氢的DLC膜电阴率比不含氢的DLC膜的高，这也许是氢稳定了sp3键的缘故。沉积工艺对DLC膜遥电阴率有影响，另外离子束能量对类金刚石膜层电阴率也有较大的影响，随着离子束能量增加大阴率增大。
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